大封裝高壓NMOS管 9N90 TO-247 電源用插件MOS 國產(chan) 常用場效應管
大封裝高壓NMOS管 9N90的主要參數：
VDS=900V(Type：1000V)
ID=9A
RDS(ON)＜1000mΩ@VGS=10V(Type：920mΩ)
大封裝高壓NMOS管 9N90的應用領域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因數校正
大封裝高壓NMOS管 9N90的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 900 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 9 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 5.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 36 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 576 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 9 | A |
| EAR | 重複雪崩能量 | 53 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 31.2 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 48 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 4 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
大封裝高壓NMOS管 9N90的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 900 | 1000 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=4.5A | 975 | 1200 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 38 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2752 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 206 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 36 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 33 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 57 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 270 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 91 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
