hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 高壓MOS管 » 高壓N溝道MOS管5N50 TO-220

產品分類

Product Categories
高壓N溝道MOS管5N50 TO-220
高壓N溝道MOS管5N50 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:5N50
產品封裝:TO-220
產品標題:高壓N溝道MOS管5N50 TO-220 鐵封場效應管 500V/5A 國產MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


高壓N溝道MOS管5N50 TO-220 鐵封場效應管 500V/5A 國產(chan) MOS管



高壓N溝道MOS管5N50的主要參數:

  • VDS=500V

  • ID=5A

  • RDS(ON)<1.5Ω@VGS=10V(Type:1.25Ω)



高壓N溝道MOS管5N50的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓500
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

5A
IDM漏極電流-脈衝25
EAS單脈衝雪崩能量247mJ
IAR雪崩電流5A
EAR重複雪崩能量18mJ
PD總耗散功率 TA=25℃32.9W
RθJA結到環境的熱阻13.3℃/W
RθJC結到管殼熱阻3.8
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



高壓N溝道MOS管5N50的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓500550
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=3.5A


1.21.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19
nC
Qgs柵源電荷密度

3.7

Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
700
pF
Coss輸出電容
94
Crss反向傳輸電容
12
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

20


td(off)關斷延遲時間
76
tf
開啟下降時間
40


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: