hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 國產中低壓MOS管30N15 TO-220

產品分類

Product Categories
國產中低壓MOS管30N15 TO-220
國產中低壓MOS管30N15 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:30N15
產品封裝:TO-220
產品標題:國產中低壓MOS管30N15 TO-220 MOSFET應用 150V/30A 汽車照明NMOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) 中低壓MOS管30N15 TO-220 MOSFET應用 150V/30A 汽車照明NMOS管



國產(chan) 中低壓MOS管30N15的應用領域:

  • 汽車照明

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



國產(chan) 中低壓MOS管30N15的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓150V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)30A
漏極電流-連續(TC=100℃)21
IDM漏極電流-脈衝90
PD總耗散功率(TC=25℃)60W
RθJA
結到環境的熱阻62.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.5
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



國產(chan) 中低壓MOS管30N15的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150175
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


6378
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=8A


7290
VGS(th)
柵極開啟電壓234.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
11
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2
Qgd柵漏電荷密度
4
Ciss輸入電容
630
pF
Coss輸出電容
50
Crss反向傳輸電容
13.5
td(on)開啟延遲時間
9.8
ns
tr開啟上升時間

6


td(off)關斷延遲時間
15
tf
開啟下降時間
4.1


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: