國產(chan) 中低壓MOS管200N12 TO-220電源用MOSFET 增強型MOS管
國產(chan) 中低壓MOS管200N12的應用：
BMS
UPS
電源管理
國產(chan) 中低壓MOS管200N12的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 200 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 150 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 600 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 530 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 45 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 240 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 0.75 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 62 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
國產(chan) 中低壓MOS管200N12的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 135 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=6V,ID=20A | 4.3 | 5.8 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 75 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5240 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 739 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 59 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 41 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 96 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 33 |
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