家電控製板用MOSFET管50N12 TO-252 120V國產(chan) MOS管 N型MOSFET管
家電控製板用MOSFET管50N12的應用領域:
手機快充
無刷電機
家電控製板
家電控製板用MOSFET管50N12的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 48 | A |
漏極電流-連續 TC=100℃ | 34 | ||
IDM | 漏極電流-脈衝 | 150 | |
EAS | 單脈衝雪崩能量 | 6 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 5 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 113 | W |
RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.1 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
家電控製板用MOSFET管50N12的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 135 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 25 | 32 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 20.6 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 6.9 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1362 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 192 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 3.7 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 12.7 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 8.2 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 30.3 | |||
tf | 開啟下降時間 | 13.3 |