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120V6A低壓貼片NMOS管 6N12 SOT23-3L
120V6A低壓貼片NMOS管 6N12 SOT23-3L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6N12
產品封裝:SOT23-3L
產品標題:120V6A低壓貼片NMOS管 6N12 SOT23-3L 常用MOSFET替換 小封裝MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


120V6A低壓貼片NMOS管 6N12 SOT23-3L 常用MOSFET替換 小封裝MOS



120V6A低壓貼片NMOS管 6N12的應用領域:

  • 汽車照明

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷



120V6A低壓貼片NMOS管 6N12的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓120
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃6A
漏極電流-連續 TC=100℃3.5
IDM漏極電流-脈衝18
PD總耗散功率 TC=25℃30W
RθJA結到環境的熱阻125℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻5.1
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



120V6A低壓貼片NMOS管 6N12的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓120135
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


110180
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


120200
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.9
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8
Qgd柵漏電荷密度
1.7
Ciss輸入電容
1100
pF
Coss輸出電容
55
Crss反向傳輸電容
40
td(on)開啟延遲時間
3.8
ns
tr開啟上升時間

25.8


td(off)關斷延遲時間
16
tf
開啟下降時間
8.8


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