低內(nei) 阻大封裝NMOS管220N10 TO-247 100V/220A 電源用MOSFET 功率MOS管
低內(nei) 阻大封裝NMOS管220N10的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 220 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 180 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 840 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 500 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 106.8 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 296 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 0.42 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 40 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
低內(nei) 阻大封裝NMOS管220N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2.1 | 2.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 150 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 34 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 26 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 8800 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1290 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 40 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 30.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 26 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 68 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 12.4 |
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