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馬達控製用MOS管60N10 TO-251
馬達控製用MOS管60N10 TO-251
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N10
產品封裝:TO-251
產品標題:馬達控製用MOS管60N10 TO-251 100V/60A 國產MOSFET N溝道MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


馬達控製用MOS管60N10 TO-251 100V/60A 國產(chan) MOSFET N溝道MOS管



馬達控製用MOS管60N10的應用領域:

  • 消費類電子電源

  • 馬達控製

  • 同步整流



馬達控製用MOS管60N10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)60A
漏極電流-連續(TC=100℃)40
IDM漏極電流-脈衝120
PD總耗散功率(TC=25℃)71W
EAS單脈衝雪崩能量57mJ
RθJA
結到環境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.76
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



馬達控製用MOS管60N10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


12.520
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
16.2
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8
Qgd柵漏電荷密度
4.1
Ciss輸入電容
1003.9
pF
Coss輸出電容
185.4
Crss反向傳輸電容
9.8
td(on)開啟延遲時間
16.6
ns
tr開啟上升時間

3.8


td(off)關斷延遲時間
75.5
tf
開啟下降時間
46


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