
100V/15A低壓MOSFET YS15N10D TO-252國產(chan) 場效應管替換 常用MOS管
100V/15A低壓MOSFET YS15N10D的應用領域:
UPS 不間斷電源
逆變器係統
100V/15A低壓MOSFET YS15N10D的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 15 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 10 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 60 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 55 | W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.72 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 |
100V/15A低壓MOSFET YS15N10D的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 95 | 110 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 100 | 130 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.2 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 632 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 37 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 21 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 12.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 32.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 4.3 |