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電源管理低壓MOS管 YS20N06D TO-252
電源管理低壓MOS管 YS20N06D TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:YS20N06D
產品封裝:TO-252
產品標題:電源管理低壓MOS管 YS20N06D TO-252 60V/20A場效應管 N型MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源管理低壓MOS管 YS20N06D TO-252 60V/20A場效應管 N型MOS管



電源管理低壓MOS管 YS20N06D的應用領域:

  • 負載開關(guan)

  • PWM應用

  • 電源管理



電源管理低壓MOS管 YS20N06D的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃20A
漏極電流-連續 TC=100℃13
IDM漏極電流-脈衝80
EAS單脈衝雪崩能量40mJ
PD總耗散功率 TC=25℃23W
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175
RθJC
結到管殼的熱阻6.5℃/W



電源管理低壓MOS管 YS20N06D的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓60

V
RDS(ON)

靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


2633

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=5A


3345
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg
柵極總電荷
20.3
nC
Qgs柵源電荷密度
3.7
Qgd柵漏電荷密度
5.3
Ciss輸入電容
1269
pF
Coss輸出電容
61.3
Crss反向傳輸電容
54.3
td(on)開啟延遲時間
7.6
ns
tr開啟上升時間
20
td(off)關斷延遲時間
15
tf
開啟下降時間
24


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