hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 60V/12A 電源用MOSFET12N06 SOP-8

產品分類

Product Categories
60V/12A 電源用MOSFET12N06 SOP-8
60V/12A 電源用MOSFET12N06 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:12N06
產品封裝:SOP-8
產品標題:60V/12A 電源用MOSFET12N06 SOP-8貼片場效應管低壓NMOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


60V/12A 電源用MOSFET12N06 SOP-8貼片場效應管低壓NMOS管



電源用MOSFET12N06的應用領域:

  • 鋰電保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



電源用MOSFET12N06的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)12A
漏極電流-連續(TC=100℃)11
IDM漏極電流-脈衝36
EAS單脈衝雪崩能量25.5mJ
PD總耗散功率 TC=25℃34.7W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻28℃/W
RθJA結到環境的熱阻85



電源用MOSFET12N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6065
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=15A


2432
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


3342
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電

VGS=±20V,VDS=0V



±100nA
Qg柵極電荷
12.6
nC
Qgs柵源電荷密度
3.2
Qgd柵漏電荷密度
6.3
Ciss輸入電容
1378
pF
Coss輸出電容
86
Crss反向傳輸電容
64
td(on)開啟延遲時間
8
ns
tr開啟上升時間
14.2
td(off)關斷延遲時間
24.4
tf
開啟下降時間
4.6


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: