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150N03 PDFN5X6-8L貼片低壓NMOS管
150N03 PDFN5X6-8L貼片低壓NMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:150N03
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:場效應管選型150N03 PDFN5X6-8L貼片低壓NMOS管 30V國產MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管選型150N03 PDFN5X6-8L貼片低壓NMOS管 30V國產(chan) MOSFET



貼片低壓NMOS管150N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)150A
漏極電流-連續(TC=100℃)78
IDM漏極電流-脈衝500
EAS單脈衝雪崩能量240mJ
IAS雪崩電流55A
PD總耗散功率 TC=25℃48W
總耗散功率 TA=25℃2.6
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻2.6



貼片低壓NMOS管150N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


1.42

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


2.33.2
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
70
nC
Qgs柵源電荷密度
12
Qgd柵漏電荷密度
17
Ciss輸入電容
4930
pF
Coss輸出電容
682
Crss反向傳輸電容
566
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間
6.5
td(off)關斷延遲時間
75
tf
開啟下降時間
18


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