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塑封N溝道場效應管60N03 TO-220F
塑封N溝道場效應管60N03 TO-220F
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N03
產品封裝:TO-220F
產品標題:塑封N溝道場效應管60N03 TO-220F手機快充用MOSFET 國產MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


塑封N溝道場效應管60N03 TO-220F手機快充用MOSFET 國產(chan) MOS管



塑封N溝道場效應管60N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)60A
漏極電流-連續(TC=100℃)40
IDM漏極電流-脈衝92
EAS單脈衝雪崩能量57.8mJ
IAS雪崩電流34A
PD總耗散功率 TC=25℃29W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻4.32



塑封N溝道場效應管60N03的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=12A


68.5

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


813
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
12.8
nC
Qgs柵源電荷密度
3.3
Qgd柵漏電荷密度
6.5
Ciss輸入電容
1317

pF
Coss輸出電容
163
Crss反向傳輸電容
131
td(on)開啟延遲時間
4.5
ns
tr開啟上升時間
10.8
td(off)關斷延遲時間
25.5
tf
開啟下降時間
9.6


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