高壓NMOSFET場效應管FIR14N65FG TO-220F 650V福斯特MOS管
高壓NMOSFET場效應管FIR14N65FG的特點：
低門極電荷
低反向傳(chuan) 輸電容
快速切換
封裝：TO-220F
高壓NMOSFET場效應管FIR14N65FG的極限值：
（如無特殊說明，TC=25℃）
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續 TC=25℃ | ID | 14 | A |
漏極電流-連續 TC=100℃ | 11 | ||
| 漏記電流-脈衝 | IDM | 56 | |
| 單脈衝雪崩能量 | EAS | 820 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 45 | W |
| 工作結溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 存儲溫度範圍 | TSTG | -55~+150 |
高壓NMOSFET場效應管FIR14N65FG的電特性：
（如無特殊說明，TC=25℃）
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=650V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=7A | 0.6 | 0.7 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1670 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 169 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 6.2 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=325V,ID=14A,RG=24Ω | 29.27 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 44.07 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 69.73 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 39.87 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=520V,ID=14A,VGS=10V | 28.43 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 9.79 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 7.92 |
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