100V低壓MOSFET福斯特FIR15N10LG TO-252貼片NMOS管
貼片NMOS管FIR15N10LG的應用領域：
筆記本的電源管理
便攜式設備
電池供電係統
負載開關(guan)
DSC
貼片NMOS管FIR15N10LG的極限值：
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 漏極電流-連續 | ID | 15 | A |
| 功耗 | PD | 35 | W |
| 工作結溫 | TJ | -55~150 | ℃ |
貼片NMOS管FIR15N10LG的電特性：
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 3 | V | |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=8A | 80 | 100 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz | 700 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 70 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 50 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=50V,RL=5Ω, VGEN=10V,RG=1Ω | 11 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 30 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 35 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 3.5 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=80V,ID=10A,VGS=4.8V | 22 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 4 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 7 |
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