hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 代理產品 » 福斯特半導體 » 高壓功率MOS管 » 高壓MOS管FIR13N50FG TO-220F

產品分類

Product Categories
高壓MOS管FIR13N50FG TO-220F
高壓MOS管FIR13N50FG TO-220F
產品品牌:美國福斯特
產品類型:高壓功率MOS管
產品型號:FIR13N50FG
產品封裝:TO-220F
產品標題:高壓MOS管FIR13N50FGTO-220F 500V/13A塑封N溝道MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


高壓MOS管FIR13N50FGTO-220F 500V/13A塑封N溝道MOS管



高壓MOS管 FIR13N50FG的特點:

  • 快速切換

  • 低門極電荷

  • 低反向傳(chuan) 輸電容



高壓MOS管 FIR13N50FG的應用:

  • 適配器和充電器的電源開關(guan) 電路



高壓MOS管 FIR13N50FG的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS500V
柵極-源極電壓VGS±30V
漏極電流-連續ID13A
單脈衝雪崩能量EAS900mJ
雪崩電流IAR12.7A
功耗PD150W
工作結溫TJ
150
存儲溫度範圍TSTG-55~150



高壓MOS管 FIR13N50FG的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA500

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃

1μA
VDS=400V,VGS=0V,Ta=125℃

100
柵極漏電流IGSSVGS=±30V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=6.5A
0.40.5Ω
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz
2000
pF
輸出電容Coss
190
反向傳輸電容Crss
10
開啟延遲時間td(on)VDD=250V,ID=13A,VGS=10V,RG=6.1Ω

20
nS
開啟上升時間tr
50
關斷延遲時間td(off)
70
開啟下降時間tf
45
柵極總電荷QgVDD=400V,ID=13A,VGS=10V
90
nC
柵源電荷密度Qgs
15
柵漏電和密度Qgd
45


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: