FIR10N50FG場效應管 500V高壓MOSFET福斯特NMOS管TO-220F 10N50
場效應管 FIR10N50FG的特點：
快速切換
低門極電容
低反向傳(chuan) 輸電容
場效應管 FIR10N50FG的極限值：
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
| 漏極電流-連續 | ID | 10 | A |
| 單脈衝雪崩能量 | EAS | 580 | mJ |
| 功耗 | PD | 40 | W |
| 工作結溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲溫度範圍 | TSTG | -55~150 |
場效應管 FIR10N50FG的電特性：
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 0.5 | 0.75 | Ω | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1620 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 154 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 8.4 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=250V,ID=10A,RG=10Ω | 26 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 20 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 52 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 21 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=400V,ID=10A,VGS=10V | 32 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 7.9 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 12 |
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