貼片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 國產(chan) 場效應管

貼片NMOS管 10N03的主要特點：

• V_DS=30V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜20mΩ@V_GS=10V(Type：17mΩ)

• 封裝形式：SOT89-3L
  

貼片NMOS管 10N03的應用領域：

• 鋰電池保護

• 手機快充
  

貼片NMOS管 10N03的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：10A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：30A

• 總耗散功率 P_D：1W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：125℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：85℃/W

貼片NMOS管 10N03的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)