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200N04 TOLLA-8L 低壓貼片MOS管
200N04 TOLLA-8L 低壓貼片MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:200N04
產品封裝:TOLLA-8L
產品標題:40VNMOS 200N04 TOLLA-8L 低壓貼片MOS管 2.5mΩ 低內阻MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


40VNMOS 200N04 TOLLA-8L 低壓貼片MOS管 2.5mΩ 低內(nei) 阻MOSFET



40VNMOS 200N04的引腳圖:

image.png



40VNMOS 200N04的應用領域:

  • BMS 電池管理係統

  • BLDC 無刷直流電機

  • UPS 不間斷電源



40VNMOS 200N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:200A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:600A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:525mJ

  • 雪崩電流 IAS:35A

  • 總耗散功率 PD:130W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:35℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.5℃/W



40VNMOS 200N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4047
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


1.92.5
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


2.74
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
95
nC
Qgs柵源電荷密度

15


Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
3162
pF
Coss輸出電容
1099
Crss反向傳輸電容
157
td(on)開啟延遲時間
12.5
ns
tr開啟上升時間

7


td(off)關斷延遲時間
50
tf
開啟下降時間
8.5


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