hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L

產品分類

Product Categories
40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:200N04
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低內阻MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低內(nei) 阻MOS



UPS用MOS管 200N04的產(chan) 品特點:

  • BMS 電池管理係統

  • BLDC 無刷直流電機

  • UPS 不間斷電源



UPS用MOS管 200N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃200A
漏極電流-連續 TC=100℃130
IDM漏極電流-脈衝800
EAS單脈衝雪崩能量420mJ
IAS雪崩電流70A
PD總耗散功率 TC=25℃68W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻25℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻1.4



UPS用MOS管 200N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4048
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


0.751
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


1.11.5
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
125
nC
Qgs柵源電荷密度

18


Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
7400
pF
Coss輸出電容
1930
Crss反向傳輸電容
110
td(on)開啟延遲時間
14.1
ns
tr開啟上升時間

7.9


td(off)關斷延遲時間
56.5
tf
開啟下降時間
9.6


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: