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190N15 TO-263 中低壓國產NMOS
190N15 TO-263 中低壓國產NMOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:190N15
產品封裝:TO-263
產品標題:7.5mΩ 低內阻MOS 190N15 TO-263 中低壓國產NMOS 150V/190A 常用MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


7.5mΩ 低內(nei) 阻MOS 190N15 TO-263 中低壓國產(chan) NMOS 150V/190A 常用MOSFET



低內(nei) 阻MOS 190N15的應用領域:

  • DC/DC 轉換器

  • LED 背景照明

  • 電源管理開關(guan)



低內(nei) 阻MOS 190N15的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:150V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:190A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:550A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:506mJ

  • 雪崩電流 IAS:53.4A

  • 總耗散功率 PD:210W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



低內(nei) 阻MOS 190N15的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.67.5
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
5240
pF
Coss輸出電容
412
Crss反向傳輸電容
10
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


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