190A大電流MOS管 190N15 TO-220 7.5mΩ 背景照明用MOS 國產(chan) MOSFET
背景照明用MOS 190N15的產(chan) 品特點：
VDS=150V
ID=190A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V(Type：6.6nΩ)
封裝：TO-220
背景照明用MOS 190N15的應用領域：
DC/DC 轉換器
LED 背景照明
電源管理開關(guan)
背景照明用MOS 190N15的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 190 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 140 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 550 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 506 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 53.4 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 210 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
背景照明用MOS 190N15的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6.6 | 7.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 72 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5240 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 412 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 22 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 115 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 44 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 105 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
