替換MOSFET 160N08 TO-220 中低壓MOS管 4mΩ 開關(guan) 用NMOS管
開關(guan) 用NMOS管 160N08的產(chan) 品特點：
VDS=85V
ID=160A
RDS(ON)＜4mΩ@VGS=10V(Type：3.2mΩ)
封裝：TO-220
開關(guan) 用NMOS管 160N08的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：85V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：160A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：480A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：320mJ
總耗散功率 PD：122.5W
結到環境的熱阻 RθJA：62℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：1.02℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
開關(guan) 用NMOS管 160N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 85 | 95 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 3.2 | 4 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 75 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 78.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 19.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5235 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 985 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 58 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 34 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6.2 |
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