N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 國產(chan) 替代MOS管
反相器用NMOS 150N20的產(chan) 品特點:
VDS=200V
ID=150A
RDS(ON)<10mΩ@VGS=10V(Type:8.5mΩ)
封裝:TO-247
反相器用NMOS 150N20的應用領域:
UPS
反相器
反相器用NMOS 150N20的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:200V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續 ID:150A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:450A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:600mJ
總耗散功率 PD:750W
結到環境的熱阻 RθJA:40℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:0.45℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:150℃
反相器用NMOS 150N20的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | 220 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=80A | 8.5 | 10 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3.6 | 4.3 | 5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 50 | 65 | S | |
Qg | 柵極電荷 | 170 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 30 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 50 | |||
Ciss | 輸入電容 | 15000 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 420 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 90 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 140 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 220 | |||
tf | 開啟下降時間 | 180 |