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產品分類

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150N20 TO-247 反相器用NMOS
150N20 TO-247 反相器用NMOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:150N20
產品封裝:TO-247
產品標題:N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 國產替代MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 國產(chan) 替代MOS管



反相器用NMOS 150N20的產(chan) 品特點:

  • VDS=200V

  • ID=150A

  • RDS(ON)<10mΩ@VGS=10V(Type:8.5mΩ)

  • 封裝:TO-247



反相器用NMOS 150N20的應用領域:

  • UPS

  • 反相器



反相器用NMOS 150N20的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:200V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:150A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:450A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:600mJ

  • 總耗散功率 PD:750W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:40℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.45℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:150℃



反相器用NMOS 150N20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200220
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=80A


8.510
VGS(th)
柵極開啟電壓3.64.35V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導5065
S
Qg柵極電荷
170
nC
Qgs柵源電荷密度

30


Qgd柵漏電荷密度
50
Ciss輸入電容
15000
pF
Coss輸出電容
1000
Crss反向傳輸電容
420
td(on)開啟延遲時間
90
ns
tr開啟上升時間

140


td(off)關斷延遲時間
220
tf
開啟下降時間
180


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