國產(chan) MOSFET 120N06 TO-220 65V低壓NMOS 插件大電流MOS
國產(chan) MOSFET 120N06的產(chan) 品特點：
VDS=65V
ID=125A
RDS(ON)＜5.6mΩ@VGS=10V(Type：4.8mΩ)
封裝：TO-220
國產(chan) MOSFET 120N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 65 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±25 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 125 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 492 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 225 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 55 | A |
| PD | 總耗散功率 | 172 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.4 |
國產(chan) MOSFET 120N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 65 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=55A | 4.8 | 5.6 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.8 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 77 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 18 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 30 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3135 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 521 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 306 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 89 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 36 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 91 |
國產(chan) MOSFET 120N06 TO-220 65V低壓NMOS 插件大電流MOS
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
