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大電流NMOS管 120N02 TO-252
大電流NMOS管 120N02 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N02
產品封裝:TO-252
產品標題:大電流NMOS管 120N02 TO-252 3mΩ 低內阻 UPS用場效應管 MOSFET參數
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


大電流NMOS管 120N02 TO-252 3mΩ 低內(nei) 阻 UPS用場效應管 MOSFET參數



大電流NMOS管 120N02的產(chan) 品特點:

  • VDS=20V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<3mΩ@VGS=4.5V(Type:2.1mΩ)

  • 封裝:TO-252



大電流NMOS管 120N02的應用領域:

  • 鋰電保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



大電流NMOS管 120N02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:120A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:360A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:110mJ

  • 總耗散功率 PD:83W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.85℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~175℃

  • 工作結溫 TJ:-55~175℃



大電流NMOS管 120N02的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


2.13.5
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=20A


3.24
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.681V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
48
nC
Qgs柵源電荷密度

3.6


Qgd柵漏電荷密度
19
Ciss輸入電容
4307
pF
Coss輸出電容
501
Crss反向傳輸電容
321
td(on)開啟延遲時間
9.7
ns
tr開啟上升時間

37


td(off)關斷延遲時間
63
tf
開啟下降時間
52


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