hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 100P02 TO-252 UPS用大電流MOS

產品分類

Product Categories
100P02 TO-252 UPS用大電流MOS
100P02 TO-252 UPS用大電流MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:100P02
產品封裝:TO-252
產品標題:國產PMOS管 100P02 TO-252 UPS用大電流MOS 6.5mΩ 超低內阻MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) PMOS管 100P02 TO-252 UPS用大電流MOS 6.5mΩ 超低內(nei) 阻MOS



國產(chan) PMOS管 100P02的產(chan) 品應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



國產(chan) PMOS管 100P02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-20V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續(TC=25℃)-100A
漏極電流-連續(TC=70℃)-40
IDM漏極電流-脈衝-300
PD總耗散功率(TC=25℃)30W
總耗散功率(TC=70℃)19
RθJA
結到環境的熱阻62.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.1
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



國產(chan) PMOS管 100P02的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20-22
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


4.56.5

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


68
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.45-0.65-1.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
63
nC
Qgs柵源電荷密度
9.1
Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
5783
pF
Coss輸出電容
509
Crss反向傳輸電容
431
td(on)開啟延遲時間
15.8
ns
tr開啟上升時間
76.8
td(off)關斷延遲時間
193
tf
開啟下降時間
186.4


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: