宇芯微 低壓MOSFET 90N02 TO-252 超低內(nei) 阻NMOS 3.5mΩ UPS用場效應管

低壓MOSFET 90N02的產(chan) 品主要參數：

• V_DS=20V

• I_D=90A

• R_DS(ON)＜3.5mΩ@V_GS=4.5V(Type：2.8mΩ)

• 封裝：TO-252
  

低壓MOSFET 90N02的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：20V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

• 漏極電流-連續 I_D：90A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：360A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：110mJ

• 總耗散功率 P_D：81W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：1.85℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~175℃

• 工作結溫 T_J：-55~175℃

低壓MOSFET 90N02的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)