低內(nei) 阻場效應管 80G03 PDFN5X6-8L 低壓N+PMOS管 應用於(yu) 無線充
低壓N+PMOS管 80G03的產(chan) 品特點:
1、N-CH:
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)<6.5mΩ@VGS=10V(Type:4.5mΩ)
2、P-CH:
VDS=-30V
ID=-72A
RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V(Type:6.2mΩ)
低壓N+PMOS管 80G03的管腳圖:
低壓N+PMOS管 80G03的應用領域:
無線充電
馬達
低壓N+PMOS管 80G03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 80 | -72 | A |
漏極電流-連續 TC=100℃ | 52.5 | -57.5 | ||
IDM | 漏極電流-脈衝 | 243 | -210 | |
EAS | 單脈衝雪崩能量 | 389 | 478 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 80 | 72 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 46 | 41.3 | W |
RθJA | 結到環境的熱阻 | 25 | 25 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.3 | 1.3 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 |
8mΩ 低內(nei) 阻場效應管 80G03 PDFN5X6-8L 低壓N+PMOS管 應用於(yu) 無線充