宇芯微 替代MOSFET 70N12 TO-252 馬達用120VNMOS 13mΩ 中壓場效應管

馬達用120VNMOS 70N12的產(chan) 品特點：

• V_DS=120V

• I_D=70A

• R_DS(ON)＜13mΩ@V_GS=10V(Type：10mΩ)

• 封裝：TO-252

馬達用120VNMOS 70N12的應用領域：

• 手機快充

• 無刷馬達

• 家用電器控製板
  

馬達用120VNMOS 70N12的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：120V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：70A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：150A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：53.8mJ

• 總耗散功率 P_D：140W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62.5℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：0.89℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

馬達用120VNMOS 70N12的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)