60V雙NMOS 70H06 PDFN5X6-8L N+N 低壓MOS管 國內(nei) 場效應管
60V雙NMOS 70H06的產(chan) 品特點：
VDS=60V
ID=70A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)
封裝：PDFN5X6-8L
60V雙NMOS 70H06的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
60V雙NMOS 70H06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：70A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：280A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：30mJ
總耗散功率 PD：60W
結到環境的熱阻 RθJA：25℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：2.1℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
60V雙NMOS 70H06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 7.5 | 10 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1182.1 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 199.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17.9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 4 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 34.9 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 5.5 |
60V雙NMOS 70H06 PDFN5X6-8L N+N 低壓MOS管 國內(nei) 場效應管
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