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65N06 PDFN3X3-8L 低內阻小MOS
65N06 PDFN3X3-8L 低內阻小MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:65N06
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:宇芯微 65N06 PDFN3X3-8L 低內阻小MOS 60V/65A MOSFET價格
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 65N06 PDFN3X3-8L 低內(nei) 阻小MOS 60V/65A MOSFET價(jia) 格



低內(nei) 阻小MOS 65N06的產(chan) 品應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



低內(nei) 阻小MOS 65N06的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓60
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續 TA=25℃

20A
漏極電流-連續 TA=70℃11
IDM漏極電流-脈衝60
EAS單脈衝雪崩能量
30mJ
PD總耗散功率 TA=25℃60W
RθJA結到環境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼熱阻2.1
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



低內(nei) 阻小MOS 65N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6068
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


7.510
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


1013
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18.4
nC
Qgs柵源電荷密度

3.3


Qgd柵漏電荷密度
3.1
Ciss輸入電容
1182.1
pF
Coss輸出電容
199.5
Crss反向傳輸電容
4.1
td(on)開啟延遲時間
17.9
ns
tr開啟上升時間

4


td(off)關斷延遲時間
34.9
tf
開啟下降時間
5.5


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