宇芯微 65N06 PDFN3X3-8L 低內(nei) 阻小MOS 60V/65A MOSFET價(jia) 格
低內(nei) 阻小MOS 65N06的產(chan) 品應用:
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
低內(nei) 阻小MOS 65N06的極限值:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | 20 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | 11 | ||
IDM | 漏極電流-脈衝 | 60 | |
EAS | 單脈衝雪崩能量 | 30 | mJ |
PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 60 | W |
RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼熱阻 | 2.1 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
低內(nei) 阻小MOS 65N06的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 68 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 7.5 | 10 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 18.4 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1182.1 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 199.5 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 17.9 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 4 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 34.9 | |||
tf | 開啟下降時間 | 5.5 |