60N06 TO-220F 超低內(nei) 阻NMOS 塑封MOSFET 場效應管絲(si) 印

塑封MOSFET 60N06的產(chan) 品特點：

• V_DS=60V

• I_D=60A

• R_DS(ON)＜15mΩ@V_GS=10V(Type：11mΩ)

• 封裝：TO-220F
  

塑封MOSFET 60N06的應用：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS 不間斷電源

塑封MOSFET 60N06的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：60V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：60A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：180A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：39.2mJ

• 雪崩電流 I_AS：38A

• 總耗散功率 P_D：45W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62.5℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：2.8℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

塑封MOSFET 60N06的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

60N06 TO-220F 超低內(nei) 阻NMOS 塑封MOSFET 場效應管絲(si) 印