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100V雙NMOS 40H10 PDFN5X6-8L
100V雙NMOS 40H10 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:40H10
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:馬達用N+N場效應管 100V雙NMOS 40H10 PDFN5X6-8L 中壓替代MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


馬達用N+N場效應管 100V雙NMOS 40H10 PDFN5X6-8L 中壓替代MOS



100V雙NMOS 40H10的電特性:

  • VDS=100V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:14mΩ)

  • 封裝:PDFN5X6-8L



100V雙NMOS 40H10的應用領域:

  • 消費類電子電源

  • 電機控製



100V雙NMOS 40H10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續 TC=25℃

40A
IDM漏極電流-脈衝120
EAS單脈衝雪崩能量57mJ
PD總耗散功率 TC=25℃71W
RθJA結到環境的熱阻25℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.76
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



100V雙NMOS 40H10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


1420
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
IDSS零柵壓漏極電流

1uA
Qg柵極電荷
16.2
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8
Qgd柵漏電荷密度
4.1
Ciss輸入電容
1003.9
pF
Coss輸出電容
185.4
Crss反向傳輸電容
9.8
td(on)開啟延遲時間
16.6
ns
tr開啟上升時間

3.8


td(off)關斷延遲時間
75.5
tf
開啟下降時間
46


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