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25N04 SOP-8 7mΩ 超低內阻NMOS管
25N04 SOP-8 7mΩ 超低內阻NMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:25N04
產品封裝:SOP-8
產品標題:常用MOSFET 25N04 SOP-8 7mΩ 超低內阻NMOS管 貼片低壓MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


常用MOSFET 25N04 SOP-8 7mΩ 超低內(nei) 阻NMOS管 貼片低壓MOS



常用MOSFET 25N04的產(chan) 品特點:

  • VDS=40V

  • ID=25A

  • RDS(ON)<7mΩ@VGS=10V(Type:5.5mΩ)

  • 封裝:SOP-8



常用MOSFET 25N04的產(chan) 品應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



常用MOSFET 25N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:25.5A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:75A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:176mJ

  • 雪崩電流 IAS:39A

  • 總耗散功率 PD:1.5W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:28℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



常用MOSFET 25N04的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


5.57.5
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=8A


6.510
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18.8
nC
Qgs柵源電荷密度

4.7
Qgd柵漏電荷密度
8.2
Ciss輸入電容
2332
pF
Coss輸出電容
193
Crss反向傳輸電容
138
td(on)開啟延遲時間
14.3
ns
tr開啟上升時間

2.6


td(off)關斷延遲時間
77
tf
開啟下降時間
4.8


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