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20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET
20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:20P01
產品封裝:DFN2X2-6L
產品標題:常用MOS型號 20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET 電子煙用場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


常用MOS型號 20P01 DFN2X2-6L 低壓PMOSFET 電子煙用場效應管



常用MOS型號 20P01的管腳配置圖:

image.png



常用MOS型號 20P01的產(chan) 品應用:

  • 電子煙

  • 負載開關(guan)



常用MOS型號 20P01的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-18V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:-20A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-36A

  • 總耗散功率 PD:1.6W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



常用MOS型號 20P01的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-12-18
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-6A


1218
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5.2A


1423
靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-4.2A


2035
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.5-0.65-1V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.5
Qgd柵漏電荷密度
3.2
Ciss輸入電容
1100
pF
Coss輸出電容
390
Crss反向傳輸電容
300
td(on)開啟延遲時間
25
ns
tr開啟上升時間

45


td(off)關斷延遲時間
72
tf
開啟下降時間
60

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