12mΩ 低內(nei) 阻MOS 20H03 PDFN5X6-8L N+N溝道MOS管 快充用場效應管

低內(nei) 阻MOS 20H03的特點：

• V_DS=30V

• I_D=24.7A

• R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V(Type：8.5mΩ)

• PDFN5X6-8L
  

低內(nei) 阻MOS 20H03的應用領域：

• 鋰電池保護

• 手機快充
  

低內(nei) 阻MOS 20H03的管腳圖：

低內(nei) 阻MOS 20H03的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：24.7A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：92A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：57.8mJ

• 雪崩電流 I_AS：13A

• 總耗散功率 P_D：19.2W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：6.5℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

低內(nei) 阻MOS 20H03的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)