10N06 SOT223-3L 60V低壓NMOS管 MOSFET應用 小封裝場效應管

60V低壓NMOS管 10N06的產(chan) 品特點：

• V_DS=60V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜36mΩ@V_GS=10V(Type：28mΩ)

• 封裝：SOT223-3L
  

60V低壓NMOS管 10N06的極限值：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：60V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：10A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：30A

• 總耗散功率 P_D：31.3W

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：22mJ

• 結到環境的熱阻 R_θJA：60℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：4℃/W
  

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~175℃

• 工作結溫 T_J：-55~175℃

60V低壓NMOS管 10N06的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)