20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nei) 阻NMOS管 汽車照明MOS管
低內(nei) 阻NMOS管 10N04的產(chan) 品特點:
VDS=40V
ID=10A
RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:15mΩ)
封裝:SOT223-3L
低內(nei) 阻NMOS管 10N04的產(chan) 品應用:
汽車照明
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
低內(nei) 阻NMOS管 10N04的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:40V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:10A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:50A
總耗散功率 PD:1.9W
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:31mJ
雪崩電流 IAS:25A
結到環境的熱阻 RθJA:65℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
低內(nei) 阻NMOS管 10N04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=7A | 15 | 20 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 25 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 32 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 9.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.9 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1013 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 107 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 76 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 2.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 40.4 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 22.8 | |||
tf | 開啟下降時間 | 6.4 |