hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內阻NMOS管

產品分類

Product Categories
10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內阻NMOS管
10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內阻NMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10N04
產品封裝:SOT223-3L
產品標題:20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內阻NMOS管 汽車照明MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低內(nei) 阻NMOS管 汽車照明MOS管



低內(nei) 阻NMOS管 10N04的產(chan) 品特點:

  • VDS=40V

  • ID=10A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:15mΩ)

  • 封裝:SOT223-3L



低內(nei) 阻NMOS管 10N04的產(chan) 品應用:

  • 汽車照明

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



低內(nei) 阻NMOS管 10N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:10A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:50A

  • 總耗散功率 PD:1.9W

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:31mJ

  • 雪崩電流 IAS:25A

  • 結到環境的熱阻 RθJA:65℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



低內(nei) 阻NMOS管 10N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=7A


1520
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
32

S
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8


Qgd柵漏電荷密度
3.9
Ciss輸入電容
1013
pF
Coss輸出電容
107
Crss反向傳輸電容
76
td(on)開啟延遲時間
2.8
ns
tr開啟上升時間

40.4


td(off)關斷延遲時間
22.8
tf
開啟下降時間
6.4


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: