hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管

產品分類

Product Categories
10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管
10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10H10
產品封裝:SOP-8
產品標題:100V/12A 中壓場效應管 10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管 快充用MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


100V/12A 中壓場效應管 10H10 SOP-8 雙N溝道MOS管 快充用MOSFET



快充用MOSFET 10H10的特點:

  • VDS=100V

  • ID=12A

  • RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V(Type:72mΩ)

  • 封裝:SOP-8



快充用MOSFET 10H10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:12A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:36A

  • 總耗散功率 PD:1.5W

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:6.1mJ

  • 結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:5.1℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



快充用MOSFET 10H10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


72100
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


85120
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
14

S
Qg柵極電荷
11.9
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8


Qgd柵漏電荷密度
1.7
Ciss輸入電容
1100
pF
Coss輸出電容
55
Crss反向傳輸電容
40
td(on)開啟延遲時間
3.8
ns
tr開啟上升時間

25.8


td(off)關斷延遲時間
16
tf
開啟下降時間
8.8


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: