低壓雙PMOS管 8V06 SOP-8 -60V/-8A P+P場效應管 電源MOSFET

低壓雙PMOS管 8V06的引腳配置圖：

低壓雙PMOS管 8V06的特點：

• V_DS=-60V

• I_D=-8A

• R_DS(ON)＜80mΩ@V_GS=-10V(Type：60mΩ)

• 封裝：SOP-8

低壓雙PMOS管 8V06的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-60V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：-8A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-30A

• 總耗散功率 P_D：1.5W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：70℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：36℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

低壓雙PMOS管 8V06的電特性：

(如無特殊說明，T_A=25℃)