40V雙NMOS 8H04 PDFN3X3-8L 無線充用 N+N低壓MOS管
40V雙NMOS 8H04的引腳圖：
40V雙NMOS 8H04的應用領域：
無線充電
無刷馬達
40V雙NMOS 8H04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TA=25℃) | 10.8 | A |
| 漏極電流-連續(TA=70℃) | 7.6 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 36 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 31 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 25 | A |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 1.9 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
40V雙NMOS 8H04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5A | 16 | 23 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=4A | 20 | 36 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 14 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.25 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 593 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 76 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 56 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 8.9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.2 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 41 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.7 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
