低壓MOS管 6P03 SOT89-3L 國產(chan) 替代PMOS 小封裝場效應管
低壓MOS管 6P03的產(chan) 品特點：
VDS=-30V
ID=-6A
RDS(ON)＜55mΩ@VGS=-10V(Type：40mΩ)
封裝：SOT89-3L
低壓MOS管 6P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | -6 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | -3.3 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -20.4 | |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 2.15 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 70 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
低壓MOS管 6P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-5A | 40 | 55 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 65 | 90 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 6.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 596 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 95 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 68 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 61 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 19 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10 |
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