hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS

產品分類

Product Categories
6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS
6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6N06
產品封裝:SOT23-6
產品標題:40mΩ 國產替換MOS 6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS LED用MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


40mΩ 國產(chan) 替換MOS 6N06 SOT23-6 60VN溝道MOS LED用MOS管



LED用MOS管 6N06的引腳圖:

blob.png



LED用MOS管 6N06的特點:

  • VDS=60V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:36mΩ)

  • 封裝:SOT23-6



LED用MOS管 6N06的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:6A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:18A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:22mJ

  • 總耗散功率 PD:2W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~175℃

  • 工作結溫 TJ:-55~175℃



LED用MOS管 6N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6065
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=15A


3640
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7A


4048
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19
nC
Qgs柵源電荷密度

2.5
Qgd柵漏電荷密度
5
Ciss輸入電容
1027
pF
Coss輸出電容
65
Crss反向傳輸電容
46
td(on)開啟延遲時間
2.8
ns
tr開啟上升時間

16.6


td(off)關斷延遲時間
21.2
tf
開啟下降時間
5.6


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: