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6N03 SOT23-6 30V/6A 常用低壓MOS
6N03 SOT23-6 30V/6A 常用低壓MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6N03
產品封裝:SOT23-6
產品標題:NMOS管 6N03 SOT23-6 30V/6A 常用低壓MOS 國產替換場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


NMOS管 6N03 SOT23-6 30V/6A 常用低壓MOS 國產(chan) 替換場效應管



常用低壓MOS 6N03的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



常用低壓MOS 6N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:6A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:30A

  • 總耗散功率 PD:1.5W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:30℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



常用低壓MOS 6N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


2028
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


2532
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=1A


3645
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.91.5V
IDSS

零柵壓漏極電

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1μA

零柵壓漏極電

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
68.4nC
Qgs柵源電荷密度

2.53.5
Qgd柵漏電荷密度
2.12.9
Ciss輸入電容
572800pF
Coss輸出電容
81112
Crss反向傳輸電容
6591
td(on)開啟延遲時間
2.44.8ns
tr開啟上升時間

7.8

14
td(off)關斷延遲時間
2244
tf
開啟下降時間
48


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