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4N20 SOT223-3L 照明用NMOS管
4N20 SOT223-3L 照明用NMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:4N20
產品封裝:SOT223-3L
產品標題:4N20 SOT223-3L 照明用NMOS管 200V/4.2A 功率MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


4N20 SOT223-3L 照明用NMOS管 200V/4.2A 功率MOSFET



照明用NMOS管 4N20的產(chan) 品特點:

  • VDS=200V

  • ID=4.2A

  • RDS(ON)<580mΩ@VGS=10V(Type:450mΩ)

  • 封裝:SOT223-3L



照明用NMOS管 4N20的管腳圖:

blob.png



照明用NMOS管 4N20的應用領域:

  • 汽車照明

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



照明用NMOS管 4N20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓200V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)4.2A
漏極電流-連續(TC=100℃)2.8
IDM漏極電流-脈衝10
PD總耗散功率(TC=25℃)2W
總耗散功率(TA=25℃)1.1
RθJA
結到環境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3.9
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



照明用NMOS管 4N20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200230
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=1A


450580
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=1A


680850
VGS(th)
柵極開啟電壓1.222.5V
IDSS零柵壓漏極電流


1μA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
15
nC
Qgs柵源電荷密度

3
Qgd柵漏電荷密度
5.2
Ciss輸入電容
900
pF
Coss輸出電容
130
Crss反向傳輸電容
4.6
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

34


td(off)關斷延遲時間
45
tf
開啟下降時間
11


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