4N06 SOT-23 60V低壓NMOS 場效應管選型 MOSFET價(jia) 格
60V低壓NMOS 4N06的的特點：
VDS=60V
ID=4A
RDS(ON)＜85mΩ@VGS=10V(Type：62mΩ)
封裝：SOT-23
60V低壓NMOS 4N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 4 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 2.1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 20 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 11 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 15 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 42 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
60V低壓NMOS 4N06的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 66 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=3A | 62 | 85 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=2A | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.9 | 1.3 | 2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極漏電流 VGS=±10V,VDS=0V | ±50 | ||||
| Qg | 柵極電荷 | 10.27 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.65 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 409 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 50 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 41 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 3.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 17.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 13 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 23 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
