hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 大電流NMOS管 190N15 TO-263

產品分類

Product Categories
大電流NMOS管 190N15 TO-263
大電流NMOS管 190N15 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:190N15
產品封裝:TO-263
產品標題:大電流NMOS管 190N15 TO-263 貼片場效應管 國產小內阻MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


大電流NMOS管 190N15 TO-263 貼片場效應管 國產(chan) 小內(nei) 阻MOS



大電流NMOS管 190N15的引腳圖:

image.png



大電流NMOS管 190N15的主要參數:

  • VDS=150V

  • ID=190A

  • RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V(Type:6.6mΩ)

  • 封裝:TO-263



大電流NMOS管 190N15的應用領域:

  • DC/DC 轉換器

  • LED 背景燈

  • 電源管理交換器



大電流NMOS管 190N15的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:150V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:190A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:550A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:506mJ

  • 總耗散功率 PD:210W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃



大電流NMOS管 190N15的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.67.5
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18
nC
Qgs柵源電荷密度

10
Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
5240
pF
Coss輸出電容
412
Crss反向傳輸電容
10
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: