貼片MOSFET 30N06 PDFN3X3-8L 常用低壓MOS LED用MOS
LED用MOS 30N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 30 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 16 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 74 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 22 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 13 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 31.3 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 4 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 |
LED用MOS 30N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=15A | 28 | 36 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 38 | 45 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1027 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 65 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 2.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 16.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 21.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 5.6 |
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