通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封裝低壓MOS 40mΩ LED用MOS管

通用MOSFET 6N04的特點：

• V_DS=40V

• I_D=6A

• R_DS(ON)＜40mΩ@V_GS=10V(Type：28mΩ)

• 封裝形式：SOT89-3L
  

通用MOSFET 6N04的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：6A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：18A

• 總耗散功率 P_D：1.67W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：30℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：125℃/W

通用MOSFET 6N04的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)